controlled avalanche transit time время переноса , определяемое лавинным процессом, время пролета , определяемое лавинным процессом, управляемый лавинно-пролетный режим работы
electrically erasable floating-gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации
electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием
guard-ring avalanche photodiode лавинный фотодиод с охранным кольцом
junction emitting avalanche light световое излучение лавинной эмиссии перехода
separate avalanche multiplication superlattice
stacked-gate avalanche injection MOS лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затворами, лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами
trapped plasma avalanche triggered transit лавинно-ключевой режим, лавинно-ключевой диод, пробег области лавинного умножения (режим работы лавинно-пролетных диодов)