Web Analytics
DICTIONARY
TTS Voice
 virtual keyboard

Russian English Computer Abbreviations Dictionary and Phrasebook


Translate to English






    затвор




затвор сущ

GA, gate

Phrases with  затвор

алюминиевый затвор
ALG, aluminum gate



биполярный СВЧ-транзистор с модулирующим затвором
GAMBIT, gate-modulated bipolar transistor



биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT, insulated-gate bipolar transistor



биполярный транзистор с модулирующим затвором
GAMBIT, gate-modulated bipolar transistor



затвор с задержкой
TRV, timing relay valve



затвор с согласованной емкостью
VMG, velocity-matched gate



изолированный затвор
IG, insulated gate



инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами
SIMOS, stacked-gate injection metal-oxide-semiconductor; stacked-gate-injection MOS



ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором
FIMOS, floating-gate ionization-injection metal-oxide-semiconductor



ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором
BIGFET, bipolar insulated gate FET IC



канальный транзистор с затвором , образованным контактом Шотки
MESFET, Mesfet, metallized semiconductor field-effect transistor



канальный транзистор с изолированным затвором
IGFET, insulated-gate field-effect transistor



канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором
SIGFET, silicon insulated gate field-effect transistor



КМОП-структура с многоуровневыми затворами
STCMOS, stacked complementary MOS, stacked complementary metal

комплементарная МОП ИС с изолированными кремниевыми затворами
ISO CMOS, isolated silicon-gate CMOS



комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами
STCMOS, stacked complementary MOS, stacked complementary metal

комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором
CIGFET, complementary isolated gate FET; complementary insulated gate field-effect transistor



кремниевый полевой транзистор с затвором Шотки
Si-MESFET, silicon metal-semiconductor field-effect transistor



лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затворами
SAMOS, stacked-gate avalanche injection MOS, stacked-gate avalanche-injection MOS, stacked avalanche-injection metal

лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами
SAMOS, stacked-gate avalanche injection MOS, stacked-gate avalanche-injection MOS, stacked avalanche-injection metal

лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием
EEFAMOS, electrically erasable floating-gate avalanche injection MOS structure



лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации
EEFAMOS, electrically erasable floating-gate avalanche injection metal-oxide-semiconductor



лавинно-инжекционный МОП-прибор с плавающим затвором
FAMOS, floating-gate avalanche-injection MOS transistor, floating-gate avalanche-injection metal

лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором
FAMOS, floating-gate avalanche-injection MOS transistor, floating-gate avalanche-injection metal

логическая СБИС с самосовмещенными затворами
SSIL, self-aligned super integration logic



логические КМОП ИС с кольцевыми затворами
CCL, closed CMOS logic



МДП-структура с плавающим кремниевым затвором и туннельной инжекцией носителей
FTMIS, floating silicon gate tunnel injection metal-insulator-semiconductor



МДП-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим затвором
FTMIS, floating Si-gate tunnel-injection MIS transistor



МНОП-структура с самосовмещенным затвором
SAMNOS, self-aligned MNOS



МНОП-структура с самосовмещенными затворами
SAMNOS, self-aligned gate metal

МНП-транзистор с изолированным затвором
MNS-IGFET, metal

МОП-приборы с плавающим затвором и двумя инжекторами
DIF MOS, dual-injection floating-gate MOS



МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла
RMOS, refractory MOS; refractory metal-oxide-semiconductor



МОП-структура с изолированным затвором
IGMOS, insulated-gate metal-oxide-semiconductor; insulated gate MOS



МОП-структура с изолированным металлическим затвором
MIOS, metal

МОП-структура с инжекционным затвором
GIMOS, gate-injection metal

МОП-структура с кремниевым затвором
SGOS, silicon

МОП-структура с нижним затвором
BMOS, back-gate metal-oxide-semiconductor; back gate MOS



МОП-структура с плавающим затвором
GIMOS, gate-injection MOS; gate-injection metal

МОП-структура с самосовмещенным затвором
SAMOS, self-aligned gate MOS; SAGMOS



МОП-структура с самосовмещенными затворами
SAGMOS, self-aligned gate metal

МОП-транзистор с изолированным затвором
MOSIGT, metal-oxide-semiconductor isolated-gate transistor



МОП-транзистор с изолированным кремниевым затвором
SIGFET, silicon insulated gate field-effect transistor



МОП-транзистор с кремниевым затвором
SGT, silicon-gate transistor



МОП-транзистор с металлическим затвором
MGT, metal gate transistor, metal-gate transistor



МОП-транзистор с плавающим затвором
FGT, floating-gate transistor



МОП-транзистор с самосовмещенным затвором
ZOGMOST, zero overlapping gate MOST



напряжение затвора
GV, gv, gate voltage



напряжение затвор
исток

напряжение затвор
канал

оптический затвор с согласованной емкостью
VMG, velocity-matched gate



перекрещивающиеся затворы
CG, crossed gates



переход затвор
канал

плавающий затвор
FG, floating gate



полевая структура с затвором Шотки , работающая в режиме обогащения
EMES, enhancement metal Schottky, enhancement-mode metal Schottky



полевой тетрод с изолированным затвором
IGT, insulated-gate tetrode



полевой транзистор с ассоциированным затвором
GAT, gate-associated transistor



полевой транзистор с двойным затвором
DGFET, dual-gate FET



полевой транзистор с двумя затворами
TGFET, two-gate FET



полевой транзистор с затвором в виде гетероперехода
HJFET, heterojunction gate field-effect transistor



полевой транзистор с затвором на гетеропереходе
HJFET, heterojunction field-effect transistor; heterojunction FET



полевой транзистор с затвором , образованным контактом Шотки
MESFET, Mesfet, metallized semiconductor field-effect transistor



полевой транзистор с затвором Шотки
SFET, Schottky FET, Schottky-gate FET; MESFET, Mesfet, metallized semiconductor field-effect transistor; Schottky field-effect transistor, Schottky-gate field-effect transistor; SB-FET, Schottky-barrier gate field-effect transistor; Schottky-barrier FET; SDFET, Schottky-diode field-effect transistor; SFE; metal-Schottky field-effect transistor; metal-Schottky gate field-effect transistor



полевой транзистор с изолированным затвором
IGFET, insulated-gate field-effect transistor; MISFET, metal-insulator semiconductor FET; MOSFET, MOS FET



полевой транзистор с изолированным затвором на барьере Шотки
SB-IGFET, Schottky-barrier isolated-gate field-effect transistor



полевой транзистор с изолированным затвором на гетероструктуре
HIGFET, heterostructure isolated gate FET



полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
SIGFET, silicon insulated gate field-effect transistor; silicon-insulated-gate FET



полевой транзистор с изолированным резистивным затвором
RIGFET, resistive insulated gate field-effect transistor, resistive-insulated gate field-effect transistor



полевой транзистор с металлическим затвором
MGT, metal gate transistor, metal-gate transistor; metal-gate field-effect transistor



полевой транзистор с объединенным затвором
GAT, gate-associated transistor



полевой транзистор с одиночным затвором
SGFET, single-gate FET



полевой транзистор со связанным затвором
GAT, gate-associated transistor



полевой транзистор с плавающим затвором
FGT, floating-gate transistor



полевой транзистор с резистивным изолированным затвором
RIGFET, resistive-insulated gate FET



полевой транзистор с резонансным затвором
RGT, resonant-gate transistor



полевой транзистор с самосовмещенным затвором
SAGFET, self-aligned gate FET; self-aligned gate field-effect transistor



полевой транзистор с самосовмещенным затвором Шотки
SASFET, SASMESFET, self-aligned Schottky FET; self-aligned Schottky field-effect transistor



полевой транзистор с сегнетоэлектрическим затвором
FEFET, ferroelectric FET; ferroelectric field-effect transistor



пробивное напряжение затвора
GBV, gate breakdown voltage
(полевого транзистора); GBDV, gate breakdown voltage (полевого транзистора)


процесс изготовления МОП-ЗУ с плавающими затворами
FLOTOX, Flotox, flotox, floating-gate tunnel oxide



распределенный усилитель с плавающим затвором
DFGA, distributed floating-gate amplifier



самосовмещенный затвор
SRG, self-registered gate; SAG, self-aligned gate



самосовмещенный затвор Шотки
SAS, self-aligned Schottky gate



самосовмещенный полицидный затвор
Salicide, self-aligned polycide gate
(двухслойный из силицида и поликремния)


световой затвор на ЖК
LCLV, liquid-crystal light valve



смещение затвора
GB, gate bias



структура резистивный затвор
изолятор

структура с плавающим затвором
FGS, floating-gate structure



тетрод с изолированным затвором
IGT, insulated-gate tetrode



технология изготовления ИС с самосовмещенными поликремниевыми затворами
PSA, polysilicon self-aligned process



технология ИС на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шотки
CMES, complementary metal semiconductor technology



технология КМОП ИС с изолированными кремниевыми затворами
ISOCMOS, Iso-CMOS, isolated silicon-gate complementary metal-oxide-semiconductor process



технология КМОП ИС с самосовмещенными затворами
CSAG, complementary self-aligned gate process



технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами
DIFMOS, dual-injection floating-gate metal-oxide-semiconductor process



технология МОП ИС с кремниевым затвором
SGT, silicon-gate technology, silicon-gate-technology



технология МОП-ИС с самосовмещенным затвором и толстым оксидным слоем
SATO, self-aligned thick-oxide process



технология МОП ИС с самосовмещенными затворами
SAG, self-aligned gate; SRG, self-registered gate



технология МОП ИС с самосовмещенным металлическим затвором
MSA, metal self-aligned gate process



технология с самосовмещенными поликремниевыми затворами
PSA, polysilicon self-aligned process



ток затвора
GC, gate current



тонкопленочный затвор
TFB, thin-film barrier



тонкопленочный согласующий затвор
TFIB, thin-film interface barrier



транзистор с резонансным затвором
RGT, resonant-gate transistor



туннельный диод с изолированным затвором
IGTD, insulated-gate tunneling diode



униполярный транзистор с затвором , образованным контактом Шотки
MESFET, Mesfet, metallized semiconductor field-effect transistor



униполярный транзистор с изолированным затвором
IGFET, insulated-gate field-effect transistor



униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
SIGFET, silicon insulated gate field-effect transistor



усовершенствованная технология МОП-ИС с самосовмещенными поликремниевыми затворами
APSA, advanced polysilicon self-aligned process



цифровой прибор ганновского типа с затвором на барьере Шотки
SBG GEDD, Schottky-barrier-gate Gunn-effect digital-device



электрохимический затвор
ECD, electrochemical debarring





How to Translate
алюминиевый затвор

биполярный СВЧ-транзистор с модулирующим затвором

биполярный транзистор с изолированным затвором

биполярный транзистор с модулирующим затвором

затвор с задержкой

затвор с согласованной емкостью

изолированный затвор

инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами

ионизационно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором

ИС на биполярных и полевых транзисторах с изолированным затвором

канальный транзистор с затвором , образованным контактом Шотки

канальный транзистор с изолированным затвором

канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором

КМОП-структура с многоуровневыми затворами

комплементарная МОП ИС с изолированными кремниевыми затворами

комплементарная МОП-структура с многоуровневыми затворами

комплементарный полевой транзистор с изолированным затвором

кремниевый полевой транзистор с затвором Шотки

лавинно-инжекционная МОП-структура с многослойным затворами

лавинно-инжекционная МОП-структура с многоуровневыми затворами

лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием

лавинно-инжекционная МОП-структура с плавающим затвором и электрическим стиранием информации

лавинно-инжекционный МОП-прибор с плавающим затвором

лавинно-инжекционный МОП-транзистор с плавающим затвором

логическая СБИС с самосовмещенными затворами

логические КМОП ИС с кольцевыми затворами

МДП-структура с плавающим кремниевым затвором и туннельной инжекцией носителей

МДП-транзистор с туннельной инжекцией и кремниевым плавающим затвором

МНОП-структура с самосовмещенным затвором

МНОП-структура с самосовмещенными затворами

МНП-транзистор с изолированным затвором

МОП-приборы с плавающим затвором и двумя инжекторами

МОП-структура с затвором из тугоплавкого металла

МОП-структура с изолированным затвором

МОП-структура с изолированным металлическим затвором

МОП-структура с инжекционным затвором

МОП-структура с кремниевым затвором

МОП-структура с нижним затвором

МОП-структура с плавающим затвором

МОП-структура с самосовмещенным затвором

МОП-структура с самосовмещенными затворами

МОП-транзистор с изолированным затвором

МОП-транзистор с изолированным кремниевым затвором

МОП-транзистор с кремниевым затвором

МОП-транзистор с металлическим затвором

МОП-транзистор с плавающим затвором

МОП-транзистор с самосовмещенным затвором

напряжение затвора

напряжение затвор - исток

напряжение затвор - канал

оптический затвор с согласованной емкостью

перекрещивающиеся затворы

переход затвор - канал

плавающий затвор

полевая структура с затвором Шотки , работающая в режиме обогащения

полевой тетрод с изолированным затвором

полевой транзистор с ассоциированным затвором

полевой транзистор с двойным затвором

полевой транзистор с двумя затворами

полевой транзистор с затвором в виде гетероперехода

полевой транзистор с затвором на гетеропереходе

полевой транзистор с затвором , образованным контактом Шотки

полевой транзистор с затвором Шотки

полевой транзистор с изолированным затвором

полевой транзистор с изолированным затвором на барьере Шотки

полевой транзистор с изолированным затвором на гетероструктуре

полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором

полевой транзистор с изолированным резистивным затвором

полевой транзистор с металлическим затвором

полевой транзистор с объединенным затвором

полевой транзистор с одиночным затвором

полевой транзистор со связанным затвором

полевой транзистор с плавающим затвором

полевой транзистор с резистивным изолированным затвором

полевой транзистор с резонансным затвором

полевой транзистор с самосовмещенным затвором

полевой транзистор с самосовмещенным затвором Шотки

полевой транзистор с сегнетоэлектрическим затвором

пробивное напряжение затвора

процесс изготовления МОП-ЗУ с плавающими затворами

распределенный усилитель с плавающим затвором

самосовмещенный затвор

самосовмещенный затвор Шотки

самосовмещенный полицидный затвор

световой затвор на ЖК

смещение затвора

структура резистивный затвор - изолятор - полупроводник

структура с плавающим затвором

тетрод с изолированным затвором

технология изготовления ИС с самосовмещенными поликремниевыми затворами

технология ИС на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шотки

технология КМОП ИС с изолированными кремниевыми затворами

технология КМОП ИС с самосовмещенными затворами

технология МОП БИС с плавающим затвором и двумя инжекторами

технология МОП ИС с кремниевым затвором

технология МОП-ИС с самосовмещенным затвором и толстым оксидным слоем

технология МОП ИС с самосовмещенными затворами

технология МОП ИС с самосовмещенным металлическим затвором

технология с самосовмещенными поликремниевыми затворами

ток затвора

тонкопленочный затвор

тонкопленочный согласующий затвор

транзистор с резонансным затвором

туннельный диод с изолированным затвором

униполярный транзистор с затвором , образованным контактом Шотки

униполярный транзистор с изолированным затвором

униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором

усовершенствованная технология МОП-ИС с самосовмещенными поликремниевыми затворами

цифровой прибор ганновского типа с затвором на барьере Шотки

электрохимический затвор